12月4日，美国圣母大学计算机系教授胡晓波应中国科学院EDA中心邀请，来微电子所作学术交流。所长助理、中国科学院EDA中心主任陈岚主持交流活动。 

　　胡晓波介绍了当前集成电路发展的主要矛盾：一方面制造的特征尺寸接近物理极限使得摩尔定律即将终止，另一方面迅速增长的各种智能应用要求集成电路的计算能力更强、能耗更低。她认为需要从底层的材料器件一直到顶层的算法应用进行整体考虑，开展跨层设计研究与优化；从深度神经网络加速器顶层架构设计需求入手，逐层分析电路层以及器件层的设计思路和面临的挑战。她指出，应用层测试用例研究将会成为该领域未来又一重要的研究方向，并介绍了以FeFET为代表的新型非易失存储技术在深度神经网络加速器中的应用。与会人员就感兴趣的学术问题同胡晓波进行了深入交流。 

交流会现场