日前，2019年度国家优秀青年科学基金评审结果公布。微电子所微电子重点实验室罗庆博士的“阻变存储器的三维集成”获得国家优秀青年科学基金资助，资助期从2020年至2022年。这是微电子所在国家青年人才培养和科研队伍建设方面取得的重要成果。

       罗庆博士长期致力于新型存储器的高密度集成的研究，在阻变存储器的三维集成领域取得了突破性进展，首次实现了8层垂直结构的三维阻变存储阵列；针对三维集成阵列中的关键性问题——交叉串扰问题，提出了高性能选通管以及自选通阻变存储器；针对先进工艺节点的嵌入式存储器缺失问题，提出了基于Hf_0.5Zr_0.5O₂的铁电混合存储器件。 

      基于上述成果，罗庆博士在微电子领域最重要的国际会议IEDM/VLSI上发表论文10篇（第一作者6篇），在微电子领域最重要期刊IEEE EDL/TED上发表论文8篇（第一作者4篇）。发表的论文被Nat. Mater.、Nat. Electron.、 Nat. Commun.等期刊重点评述和引用，被Samsung、IMEC、惠普实验室等研究机构的跟踪和引用；自选通器件作为典型工作入选国际半导体技术路线图（IRDS2017）。与全球存储产业巨头之一美国西部数据公司就RRAM三维集成研究开展合作，与联想集团合作开展独立式三维阻变存储器的研发。