11月2日，美国马萨诸塞大学安姆斯特分校副教授Qiangfei Xia来微电子所访问交流，并作了题为“Memristive Nanodevices and Arrays for Brain-inspired Computing and Beyond”的学术报告。微电子所刘明院士主持交流会。来自全所各部门的40余名科研人员、研究生参加了会议。

　　忆阻器（电阻转变）是一种新兴的纳米电子器件，采用电阻态来表示0和1或模拟信息。报告中，Xia介绍了其所在课题组近期制备的基于HfO2和SiO2的2纳米尺度和8层叠加的高性能忆阻器件和阵列，展示了大忆阻器阵列（128*64）集成。该集成可作为多层神经网络应用于模拟信号/图像处理和机器学习。Xia还简要介绍了忆阻器突触和神经模拟器，讲解了如射频开关和真随机数发生器等忆阻器应用案例。与会人员与Xia就忆阻器、人工智能等领域进行了深入交流。

　　Xia现任美国马萨诸塞大学阿默斯特分校电子与计算机工程系副教授，IEEE和SPIE高级会员，研究领域包括后CMOS纳米器件、器件物理、纳米集成系统、纳米技术、及其应用，曾获DARPA青年学者奖，NSF CAREER奖，Barbara H. - Joseph I. Goldstein优秀青年教师奖。