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微电子所王桂磊博士荣获2017年度“中国科学院百篇优秀博士论文奖”

  

  近日,中国科学院发文公布了2017年度“中国科学院百篇优秀博士论文奖”和优秀导师奖评审结果,微电子所王桂磊博士荣获2017年度“中国科学院百篇优秀博士论文奖”,其导师赵超研究员荣获“优秀研究生指导教师奖”。

  王桂磊是微电子所先导中心2012级博士生,其博士学位论文题目为《面向22nm及以下技术代CMOS器件SiGe源漏选择性外延技术研究》。该论文系统研究了SiGe源漏应变技术在22nm及以下技术代应用中的关键问题,实现了高质量SiGe应变薄膜的生长,提出了SiGe源漏器件集成应变最大化的工艺方案,进一步研究了选择性外延图形化密度效应的影响等内容。论文对22nm平面和16nm FinFET SiGe源漏器件进行了电学性能验证,集成了SiGe源漏的器件性能大幅提升,为SiGe应变薄膜在先进器件中的大规模实际应用提供了理论和实验依据。

  王桂磊博士现为先导中心副研究员,中科院青年创新促进会会员,攻读博士学位期间曾获得欧洲材料学研究会“青年科学家奖”,“王守武院士优秀奖学金”及“中国科学院院长优秀奖”等多项殊荣,在多个国际著名学术期刊发表论文,以第一发明人申请国内国际专利40余项,已授权20多项,其中美国专利授权6项。

  “中国科学院百篇优秀博士论文”自2004年开始评选,每年评选一次,旨在加强对高层次人才创造能力的培养,提高中科院博士生的培养质量,激励博士生开展原创性的研究工作。中科院向获得“中国科学院百篇优秀博士论文”的作者及指导教师颁发获奖证书并给予一定的奖励,对毕业后仍留中科院工作的博士生,还将给予科研启动资金的资助。

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